堆栈式CMOS技术（Complementary Metal-Oxide-Semiconductor，亦称为CMOS堆叠技术）是一种现代集成电路制造技术，通过纵向堆叠多层晶体管，实现高度集成与性能提升。它在现代微电子领域具有重要意义，并被广泛应用于处理器、存储器和各种便携式电子设备中。
通过堆栈式CMOS技术，多个晶体管被垂直堆叠在同一芯片区域内，有效地减小了电路面积，提高了集成度。相比传统的平面CMOS技术，堆栈式CMOS技术可以在相同芯片面积下集成更多的晶体管，实现更高的性能与功能。
堆栈式CMOS技术的另一个优势是降低功耗。由于垂直堆叠的晶体管可以共享信号和电源线，降低了电路复杂度和连接长度，减少了能量损耗和延迟。
此外，堆栈式CMOS技术还可以提高芯片的可靠性和稳定性。堆叠的晶体管通过共享电源和信号，减少了众多连接引发的故障风险，并且在信号传输方面更为可靠。
堆栈式CMOS技术在处理器和存储器领域有广泛应用。例如，高性能处理器通过堆栈式CMOS技术可以实现更多的指令级并行和数据级并行，提高计算性能；高容量存储器通过堆栈式CMOS技术可以在有限的芯片面积内容纳更多的存储单元，实现更大的容量。
总的来说，堆栈式CMOS技术是一项重要的现代集成电路制造技术，它实现了卓越的集成度、性能提升、降低功耗和提高可靠性。随着科技的不断发展，堆栈式CMOS技术将继续在各个领域发挥重要作用，推动电子产品的创新与进步。
